平面四角形錯体を簡単に説明する

本質

強配位子場下でのd８配置は平面四角形錯体を形成する傾向にある。

軌道のサイズが大きく、スピン対生成が容易な４d、５d金属では、この傾向はより顕著になる。

詳細

一番立体障害の少ない配置は正四面体構造だ。

しかし、いくつかの四配位錯体はよりエネルギーの高そうな平面四角形配置になる。

静電的な相互作用だけを考慮した場合、配位子の平面四角形配置はd軌道の分裂を引き起こす。

配位子場分裂の説明

dx2-y2軌道が他の軌道より高くなる。

d電子が８個で、結晶場が強く、低スピン配置（dyz2dzx2dz2dxy2)をとるとき、平面四角形配置の方がエネルギー的に安定になる。

具体例

RhⅠ、IrⅠ、PtⅡ、PdⅡ、AuⅢといった４d８または５d８イオン。

これは、４dや５d系列の金属では立体反発がそれほど効果的ではなく、また、配位子場分裂が大きいためである。

３d金属錯体の中の、強配位子場配位子（分光学系列中で高い位置にある配位子）の場合。

[Ni(CN)4]2-とか。

３d金属錯体は普通、四面体形。

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