平面四角形錯体を簡単に説明する

本質

強配位子場下でのd^８配置は平面四角形錯体を形成する傾向にある。

軌道のサイズが大きく、スピン対生成が容易な４d、５d金属では、この傾向はより顕著になる。

一番立体障害の少ない配置は正四面体構造だ。

しかし、いくつかの四配位錯体はよりエネルギーの高そうな平面四角形配置になる。

静電的な相互作用だけを考慮した場合、配位子の平面四角形配置はd軌道の分裂を引き起こす。

d_x²-y²軌道が他の軌道より高くなる。

d電子が８個で、結晶場が強く、低スピン配置（d_yz²d_zx²d_z²d_xy²)をとるとき、平面四角形配置の方がエネルギー的に安定になる。

Rh^Ⅰ、Ir^Ⅰ、Pt^Ⅱ、Pd^Ⅱ、Au^Ⅲといった４d^８または５d^８イオン。

これは、４dや５d系列の金属では立体反発がそれほど効果的ではなく、また、配位子場分裂が大きいためである。

３d金属錯体の中の、強配位子場配位子（分光学系列中で高い位置にある配位子）の場合。

[Ni(CN)₄]^2-とか。

３d金属錯体は普通、四面体形。

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