四ハロゲン化ケイ素のルイス酸性の傾向
SiI4 < SiBr4 < SiCl4 < SiF4
三ハロゲン化ホウ素のルイス酸の傾向
BF3 < BCl3 < BBr3 < BI3
傾向の原因
フッ素の高い電気陰性度により、中心のSiから電子が引き抜かれ、Siを強い求核性にする。
ほとんど立体障害のない、小さなF原子と結合することにより、SiF4は四つの化合物の中で最も強いルイス酸性を示す。
水素化ホウ素のルイス酸性度の順番は付加された電子的な効果によるもの。
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